如何理解UVLED光固化的基本原理

UVLED是一種LED，是單個波長的不可見光，通常在420nm以下。 主要有365nm和395nm。UVLED光固化通常使用365nm的波長。 通過特殊設(shè)計，UVLED可以發(fā)出完整的連續(xù)紫外光帶，以滿足封邊，印刷等領(lǐng)域的生產(chǎn)需求。線光源壽命長，冷光源，無熱輻射，壽命不受開閉次數(shù)的影響，能量高，照射均勻，提高了生產(chǎn)效率，不含有毒物質(zhì)，更安全，更環(huán)保 比傳統(tǒng)光源

UVLED（紫外線LED）由一個或更多個InGaN量子阱夾在較薄的GaN三明治結(jié)構(gòu)之間組成，形成的有源區(qū)是一個覆蓋層。 通過將InN-GaN的相對比例更改為InGaN量子阱，可以將發(fā)射波長從紫光變?yōu)槠渌狻?通過更改AlN比例，可以使用AlGaN來制作UVLED和量子阱層的包層，但是這些設(shè)備的效率和成熟度都很差。 如果活性的量子阱層是GaN，與InGaN或AlGaN合金相反，則器件發(fā)射的光譜范圍為350?370nm。
當LED泵上的藍色InGaN短電子脈沖時，會產(chǎn)生紫外線。 含鋁的氮化物，特別是AlGaN和AlGaInN可以制成短波長器件，并獲得串聯(lián)波長UVLED。 波長高達247nm的二極管已經(jīng)商業(yè)化，基于氮化鋁且可發(fā)出210nm紫外線輻射的LED已成功開發(fā)，并且在250?270nm波段的UVLED也正在大力發(fā)展。
III-V族金屬氮化物基半導體非常適合制造紫外線輻射源。 以AlGaInN為例，在室溫下，隨著各組分比例的變化，復合過程中電子和空穴的輻射能量為1.89?6.2eV。 如果LED的有源層僅由GaN或AlGaN組成，則其紫外線輻射效率非常低，因為電子和空穴之間的復合是非輻射復合。 如果在此層中摻雜少量金屬In，則有源層的局部能級將發(fā)生變化。 此時，電子和空穴將發(fā)生輻射復合。 因此，當有源層中摻雜有金屬銦時，在380nm處的輻射效率比未摻雜時高19倍。

UVLED光固化的原理：使用UVLED固化產(chǎn)生的特定紫外線波長與UV油墨中的UV涂料，UV膠和UV固化劑反應(yīng)，以實現(xiàn)快速固化。
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